北京航空航天大学从2007年的第9，北京变电到2012年小涨到第8，再到今年大涨到并列第一。

市安上述研究成果为设计和制备高效稳定的偏振敏感型紫外光探测器提供了新的方案。此外，各庄工程该探测器的光响应度高达32.3A/W、比探测率为1.89×1012Jones、光响应速度为6.94/214μs，明显优于传统的紫外光探测器报道。

此外，伏输目前已报道的偏振光探测器更多工作在可见光和近红外光波段，而针对紫外光区域的偏振敏感型光电探测器报道相对较少。然而，项目上述材料的空气稳定性较差、合成工艺复杂，且器件制备时通常需要湿法转移技术进行辅助。【小结】研究人员利用改良的反溶剂结晶方法成功制备出了高质量且尺寸可控的一维CsCu2I3纳米线，获批该材料的直接宽带隙特征使得其对紫外光有出色的响应能力。

北京变电（b）单根纳米线的SEM图像和EDS元素分布。市安（c）稳态PL和光吸收谱。

该材料为直接带隙半导体，各庄工程其禁带宽度高达~3.73eV，是制备紫外光电探测器的理想候选材料。

伏输（b）CsCu2I3纳米线的晶体结构示意图。目前，项目制备面内多孔石墨烯材料的方法可以分为有机合成法、模板导向法、物理蚀刻法和化学蚀刻法。

图4a展示了采用多金属氧酸盐衍生的金属氧化物刻蚀，获批可以得到面内多孔石墨烯材料，石墨烯片层上的孔径约为20–50nm(图4b)。图2以单分散胶体微球作为模板，北京变电采用反应离子刻蚀工艺构造胶体微球之间的孔隙。

市安图1为通过自下而上的有机合成法制备纳米多孔石墨烯的示意图。最后，各庄工程通过这些石墨烯纳米带的脱氢交叉耦合，制备出孔径约为1nm的多孔石墨烯。